شرکت سامسونگ، به عنوان رهبر بخش حافظههای پیشرفته جهان، اعلام کرد که حافظه 36 گیگابایتی DRAM HBM3E 12H را توسعه داده است. این محصول علاوه بر اینکه نخستین حافظه DRAM 12 لایهای HBM3E در صنعت محسوب میشود از بالاترین ظرفیت در میان حافظههای با پهنای باند بالا یا HBM (High Bandwidth Memory) تا به امروز بهره میبرد.
حافظه 36 گیگابایتی DRAM HBM3E 12H
حافظه HBM3E 12H از بالاترین پهنای باند یعنی ۱۲۸۰ گیگابایت بر ثانیه (GB/s) و همچنین بالاترین ظرفیت حافظه HBM یعنی ۳۶ گیگابایت (GB) تا به امروز برخوردار است که در مقایسه با حافظههای ۸ لایهایHBM3 ، در هر دو ویژگی یعنی پهنایباند و ظرفیت بیش از ۵۰ درصد ارتقا داشته است.
یونگ چئول بائه، معاون اجرایی بخش برنامهریزی حافظهها در شرکت سامسونگ میگوید: «ارائهدهندگان خدمات هوشمصنوعی در صنعت به طور فزایندهای نیازمند حافظههای مدل HBM با ظرفیت بالاتر هستند و محصول جدید ما یعنی HBM3E 12H به گونهای طراحی شده که به این نیاز پاسخ دهد. این حافظهها به عنوان یک راهحل جدید، بخشی از تلاش ما برای توسعه حافظههای HBM با لایههای زیاد به شمار میرود و به ما کمک میکند تا در عصر هوش مصنوعی، در بازار حافظههای ظرفیت بالای HBM پیشرو باشیم».
حافظههای HBM به شکل مکعب یا مکعب مستطیل هستند، در این نوع از حافظهها، چندین لایه تراشه حافظه روی هم قرار میگیرد و یک توده مکعبی را تشکیل میدهند. حافظههای HBM3E 12H از لایهای نارسانا، فشردهساز و حرارتی پیشرفته به نام TC NCF استفاده میکند که به نمونههای 12 لایه اجازه میدهد ارتفاعی مشابه نمونههای 8 لایه داشته باشند تا با شرایط مورد نیاز تودههای حافظههای HBM مطابقت پیدا کنند. انتظار میرود این فناوری مزایای بیشتری به ویژه با افزایش تعداد لایهها داشته باشد؛ زیرا در حال حاضر صنعت به دنبال کاهش میزان انحراف یا تغییر حالت تراشهها در عین نازکتر کردن آنها است. در این زمینه سامسونگ به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داده و در این حافظهها به کوچکترین فاصله بین تراشهها در صنعت یعنی ۷ میکرومتر (µm) دستیافته است و این در حالی است که فضاهای خالی بین لایهها نیز از بین رفته است. این تلاشها سبب شده تراکم عمودی HBM3E 12H در مقایسه با حافظههای HBM3 8H بیش از ۲۰ درصد افزایش یابد.
سامسونگ با استفاده از فناوری پیشرفته TC NCF، علاوه بر حفظ ابعاد، عملکرد خنکسازی حافظه HBM را نیز بهبود بخشیده است. این عملکرد با ایجاد برجستگیها و برآمدگیهایی با ابعاد مختلف در نقاط اتصال بین تراشهها امکانپذیر شده است، برآمدگیهایی کوچک در نقاط اتصال مخصوص انتقال سیگنال و برآمدگیهایی بزرگتر در نقاط ویژه دفع گرما. در مجموع این شیوه اتصالات همچنین به افزایش بازدهی محصول نیز کمک میکند.
با رشد تصاعدی کاربردهای هوشمصنوعی، انتظار میرود HBM3E 12H به عنوان یک راهحل ایدهآل برای سیستمهای آینده که به حافظه بیشتری نیاز دارند، تبدیل شود. عملکرد و ظرفیت بالاتر این حافظههای سامسونگ به طور خاص به مشتریان این امکان را میدهد که منابع خود را با انعطافپذیری بیشتری مدیریت کرده و هزینه کل مالکیت (TCO) را برای مراکز داده کاهش دهند. بر اساس تخمینها، اگر از حافظههای HBM3E 12H در هوشمصنوعی استفاده شود، سرعت متوسط آموزش هوشمصنوعی در مقایسه با HBM3 8H تا 34 درصد افزایش مییابد و همچنین تعداد کاربرانی که به صورت همزمان از خدمات استنباطی (خدماتی که از مدلهای هوش مصنوعی برای استنباط و نتیجهگیری بهره میبرند مانند سیستمهای تشخیص چهره) استفاده میکنند نیز بیش از 11.5 برابر قابل افزایش است.
سامسونگ تولید نمونههای اولیه HBM3E 12H را برای مشتریان خود آغاز کرده است و تولید انبوه آن برای نیمه اول سال جاری برنامهریزی شده است.
